Fraunhofer IISB (Institutum Systematum Integratorum et Technologiae Instrumentorum), Erlangae situm, et PVA TePla AG, fabricator systematum microfluctuum et plasmatis radiofrequentiae, Wettenbergae situm, peritiam suam in Laboratorio Commune ad productionem crystallorum nitridi aluminii (AlN) coniungunt.
Haec societas, primum in Europa factum, productionem parvarum copiarum substratorum AlN monocrystallinorum, diametro duorum unciarum, industrialiter sustentatam, ad usus investigationis et progressionis (R&D) permittit. Hoc copiam substratorum AlN in Europa insigniter auget, quod vicissim progressionem instrumentorum et systematum AlN fundatorum et transitionem eorum ad usus industriales accelerat.
Aluminium nitridum inter materias maxime promittentes numeratur pro proxima generatione electronicorum summae efficaciae. Ut semiconductor ultrawide-bandgap (UWBG), AlN novas possibilitates aperit in photonicis, electronicis potentiae, electronicis altae frequentiae, et electronicis sub condicionibus extremis operantibus. Adhuc, inopia substratorum AlN altae qualitatis, amplae areae et sumptibus efficacium progressionem systematum electronicorum AlN fundatorum impedit.
“Cum Laboratorio Coniuncto, fundamenta iacimus ad copiam certam substratorum AlN ex Europa curandam, ita novas prospectus aperientes pro proxima generatione machinarum AlN altae efficaciae,” dicit Dr. Sven Besendörfer, dux gregis materiarum nitridarum et responsabilis evolutionis materiae AlN apud Fraunhofer IISB. “Una cum PVA TePla, peritiam nostram in incremento crystallorum industriali afferimus, ita condiciones necessarias ad translationem ad applicationes concretas creantes.”
Technologia instrumentorum probata peritiae processus propriae occurrit
In laboratorio communi, Fraunhofer IISB suam technologiam PVT (transportationis vaporis physici) propriam adhibet ad crystallos AlN in massa duorum unciarum producendos. In hoc processu, pulvis AlN in crucibulo ad temperaturas multo supra 2000°C vaporizatur et in crystallum seminis deponitur. PVA TePla systemata PVT ad hunc finem praebet, quae iam in usu sunt toto orbe terrarum pro crystallis carburi silicii (SiC) octo unciarum diametro et nunc specialiter adaptata sunt ad accretionem crystallorum AlN duorum unciarum.
Ob peritiam in processibus a Fraunhofer IISB confertam, turma PVA TePla celeriter crystallos AlN qualitatis comparabilis in suis propriis officinis producere potuit. Laboratorium Commune in productione stabili parvae copiae crystallorum AlN duarum unciarum intendit. Productio nunc gradatim augetur ut stabilitatem processus, reproducibilitatem, proventum et structuras sumptuum systematice optimizentur.
“Cum nitrido aluminii, active formamus novam technologiae generationem post SiC,” dicit Dr. Jan Pfeiffer, vicarius praeses investigationis et progressionis apud PVA TePla. “Per Laboratorium Commune, peritiam nostram in apparatibus cum scientia processuum Fraunhofer IISB directe coniungere possumus, quod nobis permittit ut solutiones mercatui accommodatas clientibus nostris globalibus in stadio primo offeramus,” addit. “Propositum nostrum commune est stimulare progressionem mercatus in sectore AlN per substrata idonea et sustinere societates quae in hoc campo ingredi volunt ut socii technologici cum apparatu idoneo et peritia processuum correspondente.”
Suverenitas technologica Europaea per amplificationem industrialem roboranda
Crystalli AlN in Laboratorio Coniuncto producti ulterius apud Fraunhofer IISB in substrata AlN epi-parata tractantur et, per societatem investigationis et evolutionis productorum LZE GmbH, Erlangae sitam, in evolutionem industrialem et processus amplificationis transferuntur. "Pro imperio semiconductorum Europae, essentiale est ut novae materiae clavis non solum excolantur, sed etiam celeriter in applicationes industriales et creationem valoris amplificabilis transferantur," dicit director generalis LZE, Dr. Christian Forster. "Cum foro suo pro technologiarum recentissimarum, LZE GmbH societatibus et institutis investigationis accessum globaliter singularem et apertum ad substrata AlN praebet. Hoc modo, adiuvamus ut applicationes promittentes pro mercatibus industrialibus magni voluminis celerius in forum adducantur."
Tempus publicationis: Iul-XX-MMXXVI